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势垒电容是由空间电荷区的离子薄层构成的
发布日期:2019-11-27

  ;;; 扩散电容是由多子扩散后,正在PN结的另一侧面堆集而构成的。当PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,取外电源供给的空穴相复合,构成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积正在P区内紧靠PN结的附近,构成必然的多子浓度梯度分布曲线;反之,由P区扩散到N区的空穴,正在N区内也构成雷同的浓度梯度分布曲线。当外加正向电压分歧.扩散电流即外电电流的大小也就分歧,所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也分歧,这也相当于电容的充放电过程。

  ;;; PN结的电容特征;;; PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的要素决定。一是势垒电容CB,二是扩散电容CD。;;; (1)势垒电容CB。;;; 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层构成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时,离子薄层的厚度也响应地随之改变,这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化,犹如电容的充放电过程。;;; (2)扩散电容CD。;;; 扩散电容是由多子扩散后,正在PN结

  ;;; PN结的电容效应由两CJ1W-DRM21方面的要素决定。一是势垒电容CB,二是扩散电容CD。万濠会网站

  ;;; 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层构成的。当外加电压使PN结上的压降发生变化时,离子薄层的厚度也响应地随之改变,这相当于PN结中存储的电荷量也随之变化,犹如电容的充放电过程。